據悉該研究成果刊登在近期美國《真空科學與技術：B輯》上。倫斯勒理工學院的物理教授陸道明稱，有了這種新材料，芯片制造商將能削減從生產到封裝過程中的數個生產步驟，從而實現成本的降低。目前廣泛采用的光刻是利用光與化學物質的混合，在硅的微小面積上產生復雜的微米與納米級圖案。作為此過程的一部分，稱為重分布層的聚合物薄膜對器件的功效相當重要，它沉積到硅芯片上，以減緩信號傳輸延遲，并保護芯片免受環境差異與機械因素的影響。據專家介紹，陸道明領導的研究小組與普利斯特公司所開發的新PES材料正是這樣一種薄膜，與半導體工業領域通常所使用的現有材料相比，它則具備多種優勢。此外，這種新型PES材料也能作為紫外線芯片納米壓印光刻術(目前仍處于發展的早期階段)所使用的聚合物薄膜。陸道明稱，在傳統技術中使用PES以及在向下一代器件逐步轉移的同時仍使用PES，保持這種一致性將有助于減緩過渡期。
對于半導體業界來說，“一魚兩吃”相當具有吸引力。現在，制造商通常將苯丙環丁烯(BCB)與聚酰亞胺作為重分布層的聚合物，因為它們具有低吸水性、熱穩定性、低固化溫度、低熱膨脹性、低介電常數以及低漏電性等優點。研究人員表示PES可提供比這些材料更顯著的優勢，尤其是在固化溫度與吸水性方面。中國環氧樹脂行業協會專家介紹說，PES的固化溫度為165℃，比上述2種材料要低35%%，因此制造過程中需要的熱更少，這將直接轉化為制造費用成本的降低。PES的另一項優勢是吸水性不到0.2%%，這比其他材料來得少。此外，PES可充分附著在銅上，而且如果需要的話還可使它較不易碎。這些屬性都讓PES成為重分布層應用及紫外線壓印光刻技術大有可為的候選者。
